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簡要描述：高壓探針臺通過TS2000-DP，MPI提供了一個多功能且經(jīng)濟高效的探針臺，半自動|MPI 8英寸高壓探針臺適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測量，測量能力高達3 kV（三軸）/ 10 kV（同軸）和600 A（脈沖）。
產(chǎn)品型號：TS2000-DP廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2024-11-07訪 問 量：2696產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
半自動|MPI 8英寸高壓探針臺簡介：
| 探針卡和微型定位器 TS2000-DP可提供高達12倍的高壓（高達3 kV三軸或10 kV同軸）或4倍的多手指高電流，高達400 A MicroPositioners。許多單探頭，專用于防電弧高功率探頭卡的探頭卡座使該系統(tǒng)成為高功率設(shè)備特性測量的理想選擇。 防電弧技術(shù) 該系統(tǒng)配有ArcShield™，可防止卡盤和探針壓板之間發(fā)生任何可能的電弧。 防電弧探針卡具有在DUT周圍施加高壓的能力，并且可以使用帕申定律來防止焊盤之間產(chǎn)生電弧。專門設(shè)計的防電弧LiquidTray™只需將其放在高功率卡盤表面即可用于抑制電弧。晶圓可以安全地放置在托盤內(nèi)，以浸沒在液體中進行無電弧高壓測試。MPI卡盤設(shè)計用于300°C時高達10 kV（同軸）。 儀器集成TS2000-DP可以配置各種儀器連接套件，其中包括必要的高壓/大電流探頭和電纜附件，以優(yōu)化連接至測試儀器，例如Keysight B15005（3 kV或10 kV），包括集成的模塊選擇器或吉時利2600-PCT-XB，包括集成的8020大功率接口面板。 |
| 設(shè)備簡介： 通過TS2000-DP，MPI提供了一個多功能且經(jīng)濟高效的探針臺，適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測量，測量能力高達3 kV（三軸）/ 10 kV（同軸）和600 A（脈沖）。 |
機臺特征：
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